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储存器收购-回收内存

2020/8/3 11:13:38

  储存器收购 回收内存芯片

  长期收购IC,芯片,电子元器件,继电器,BGA,内存,内存条,内存卡,SD卡,CF卡,SSD固态硬盘,CPU,集成电路,电容,电感,光耦,传感器,IGBT模块,通信模块,通信IC,高频管,逻辑IC,射频芯片,家电IC,汽车IC,工业IC,军品IC,库存IC,工厂IC,功放IC等等一切电子元器件,电子料。

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  说明:采用fTref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用fT指标的晶体振荡器,故fTref指标的晶体振荡器售价较高。

  ⒊ 频率稳定预热时间:以晶体振荡器稳定输出频率为基准,从加电到输出频率小于规定频率允差所需要的时间。

  说明:在多数应用中,晶体振荡器是长期加电的,然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机,这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到(尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台,当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃~85℃),采用OCXO作为本振,频率稳定预热时间将不少于5分钟,而采用DTCXO只需要十几秒钟)。

  ⒋ 频率老化率:在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的,可用规定时限后的变化率(如±10ppb/天,加电72小时后),或规定的时限内的总频率变化(如:±1ppm/(年)和±5ppm/(十年))来表示。

  说明:TCXO的频率老化率为:±0.2ppm~±2ppm(年)和±1ppm~±5ppm(十年)(除特殊情况,TCXO很少采用每天频率老化率的指标,因为即使在实验室的条件下,温度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化,因此这个指标失去了实际的意义)。OCXO的频率老化率为:±0.5ppb~±10ppb/天(加电72小时后),±30ppb~±2ppm(年),±0.3ppm~±3ppm(十年)。

  ⒌频率压控范围:将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压,晶体振荡器频率的小峰值改变量。

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